Создан устойчивый к внешним воздействиям органический полевой транзистор

В Технологическом институте Джорджии (США) сконструирован органический полевой транзистор с верхним затвором и двойным изолирующим слоем. Первым компонентом изолирующего слоя затвора разработчики сделали оксид алюминия Al2O3

В Технологическом институте Джорджии (США) сконструирован органический полевой транзистор с верхним затвором и двойным изолирующим слоем, пишет compulenta.ru.

Первым компонентом изолирующего слоя затвора разработчики сделали оксид алюминия Al2O3, а рядом с ним расположился фторированный полимер CYTOP. При этом CYTOP даёт минимальное количество дефектов в области контакта с органическим полупроводником, но его диэлектрическая проницаемость мала; Al2O3, диэлектрик с высоким значением диэлектрической проницаемости, имеет прямо противоположные свойства.

«Выходит, в нашем транзисторе действуют сразу два механизма ухудшения характеристик, — замечает участник исследования Бернард Киппелен (Bernard Kippelen). — Однако компоненты изолирующего слоя идеально дополняют друг друга, и отрицательные эффекты нейтрализуются».

Новый транзистор продемонстрировал стабильность характеристик — порогового напряжения и мобильности — в 20 000 рабочих циклов и в 24-часовых испытаниях на смещение постоянным током. За 210 дней, проведённых на воздухе, он также не потерял своих свойств; более того, устройство сохранило работоспособность даже после часового погружения в ацетон.

Транзисторы такого типа можно изготавливать при температуре менее 150 ˚C в обычной атмосфере, что позволяет размещать их на пластиковых гибких подложках. При создании опытных образцов использовались стеклянные подложки.