Ученые заменят флеш-память терабайтным накопителем

Ученые из Калифорнийского университета разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники.

Ученые из Калифорнийского университета разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники.

Об этом пишут Новости ИТ со ссылкой на Техноманию.

Она найдет свое применение в смартфонах, планшетах, ноутбуках и цифровых камерах.

В основе лежит резистивная память, позволяющая делать ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет создавать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в настоящее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, как это сегодня привычно.

Скоро знание о том, как работает флешка займет место в учебниках истории. Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет устранить второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого часто выступает диод. Резистивная память обычно характеризуется металл-оксид-металлической структурой.

Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.